%A Khac Quynh Le
%A Dinh Tu Bui
%A Xuan Toan Nguyen
%A Tien Dung Tran
%A Thi Huong Giang Do
%A Huu Duc Nguyen
%T Nghiên cứu, chế tạo cẩm biến từ dựa trên hiệu ứng Hall phẳng(PHE)
%X Hệ các cảm biến đo từ trường dạng chữ thập dựa trên hiệu ứng Hall phẳng (PHE), cấu trúc màng mỏng đơn lớp Ni80Fe20 đã được chúng tôi nghiên cứu và chế tạo dựa trên thiết bị phún xạ sputtering ATC-2000FC. Các nghiêncứu theo hướng tối ưu hóa cấu trúc, hình dạng cảm biến với mục đích tăng cường độ nhạy theo từ trường, bao gồm cảm biến có các kích thước: 1×5 mm 202, 1×7 mm2, 1×10 mm2 và có độ dày lớp màng mỏng từ tính khác nhau 5, 10, 15 nm. Kết quả nghiên cứu cho thấy, độ nhạy của cảm biến phụ thuộc mạnh vào tính dị hướng hình dạng và bề dày của lớp NiFe. Tính dị hướng hình dạng càng lớn, bề dày lớp màng NiFe càng mỏng thì độ nhạy cảm biến càng cao. Độ nhạy lớn nhất đạt được trên cảm biến chữ thập có kích thước 1×10 mm, có bề dày 5 nm cho giá trị S(H)= 0,1 mV/Oe, tại dòng cấp 5 mA, tương đương với độ nhạy 20 mΩ/Oe. Với qui trình công nghệ chế tạo đơn giản, cấu trúc màng đơn lớp nhưng độ nhạy của cảm biến có thể so sánh được với các cảm biến có cùng loại, cùng chức năng được chế tạo từ màng đa lớp rất phức tạp như cảm biến cấu trúc van-spin (VS),cảm biến từ điện trở xuyên hầm (TMR), từ điện trở dị hướng (AMR) đã công bố.
%C Hue city, Vietnam
%D 2017
%L SisLab2846