Le, Khac Quynh and Nguyen, Xuan Toan and Bui, Dinh Tu and Do, Thi Huong Giang and Nguyen, Huu Duc (2017) Nghiên cứu, chế tạo cảm biến từ dựa trên hiệu ứng hall phẳng (PHE). In: Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu Toàn quốc – SPMS 2017, 19-21 October 2017, Hue city, Vietnam.
![[img]](https://eprints.uet.vnu.edu.vn/eprints/style/images/fileicons/application_pdf.png) |
PDF
Download (883kB) |
Abstract
Hệ các cảm biến đo từ trường dạng chữ thập và dạng cầu Wheatstone dựa trên hiệu ứng Hall phẳng (PHE), cấu trúc với màng mỏng đơn lớp Ni80Fe20 đã được chúng tôi nghiên cứu và chế tạo dựa trên thiết bị phún xạ sputtering ATC-2000FC. Các nghiên cứu theo hướng tối ưu hóa cấu trúc, hình dạng cảm biến với mục đích tăng cường độ nhạy theo từ trường, bao gồm cảm biến có các kích thước: 3×1mm, 5×1mm, 10×1mm, 10×0,5mm, có độ dày lớp màng mỏng từ tính khác nhau 5, 10, 20 nm. Kết quả nghiên cứu cho thấy, độ nhạy của cảm biến phụ thuộc mạnh vào tính dị hướng hình dạng và bề dày của lớp NiFe. Tính dị hướng hình dạng càng lớn, bề dày lớp màng NiFe càng mỏng thì độ nhạy cảm biến càng cao. Độ nhạy lớn nhất đạt được trên cảm biến chữ thập có kích thước 10×0,5mm, có bề dày lớp NiFe 5 nm có giá trị 30 µV/Oe, tại dòng cấp 3 mA, tương đương với độ nhạy 10 mΩ/Oe. Với qui trình công nghệ chế tạo đơn giản, cấu trúc màng đơn lớp nhưng độ nhạy của cảm biến có thể so sánh được với các cảm biến có cùng loại, cùng chức năng được chế tạo từ màng đa lớp rất phức tạp như cảm biến cấu trúc van – spin (VS), cảm biến từ điện trở xuyên hầm (TMR) đã công bố.
| Item Type: | Conference or Workshop Item (Paper) |
|---|---|
| Subjects: | Engineering Physics |
| Divisions: | Faculty of Engineering Physics and Nanotechnology (FEPN) |
| Depositing User: | Dr Giang Do |
| Date Deposited: | 05 Jan 2018 02:43 |
| Last Modified: | 05 Jan 2018 02:43 |
| URI: | http://eprints.uet.vnu.edu.vn/eprints/id/eprint/2899 |
Actions (login required)
 |
View Item |
